低电压优劣分析 135V DDR3-1600测试遵照JEDEC的外率圭臬，通过晋升硅晶圆芯片制作工艺而下降焦点IO电压以晋升职能的DDR3内存模组，会推出称举动DDR3L的低电压版本内存外率，新圭臬规矩电压为1.35V，比力现时的1.5V圭臬还要低，这将会正在绝大大都主流产物中节能20%。更低的电压意味着工艺愈加成熟、功耗更低，以至超频职能也会比平时内存要愈加精采。

　　新低电压内存将会和现时现存的1.5V版本DDR3内存彼此兼容，但前者并不会受到原有外率的限制，总共基于JEDEC外率的DDR3内存模组城市装备SPD（serial presence detect）芯片，该芯片EEPROM存储于SMbus之上，个中囊括内存模组将供应给体例的容量以及模组特质音信，囊括电压，以是体例就或许借此固件音信兼容声援最新的DDR3L内存模组。同时模内标签也做了相应转移：面向平时PC的老例产物是“PC3L”，面向嵌入式产物的则是“EP3L”。

　　来自AMD公司的JC-42.3内存繁荣委员会主席Joe Macri显露，全新的低电压内存圭臬和通盘业界相闭于低功耗节能安排准绳相吻合，为内存技能推动繁荣委员会还会赓续就此方面举办论证和咨议，另日不倾轧推出1.25V以至更低电压的内存产物，而电脑体例的研发职员也会就此推敲采用更低能耗安排圭臬的产物。