MT53B256M64D2NK-053 WT：C内存芯片MT53E384M32D2DS-053 AUT：E遵循GAAP司帐标准，美光Q3季度耗费2.15亿美金，每股耗费21美分，而Q2 的耗费金额为0.97亿美金，耗费明明推广。美光6月30日股票显露涨势，能够是利空出尽，以及受近期PC DRAM和NAND Flash墟市涨价行情的影响。

　　美光Q3季度DRAM产物营收正在拉长，是由于其销量拉长了22%，抵消了均匀售价降落的11%，然则，非易失性产物不但销量降落了10%，并且均匀售价也降落了6%，导致了Q3季度的总营收仍略低于Q2季度。 美光归纳毛利率为17%，比拟第二季度低落3%，重要是由于较低的出售代价。 美光2016年第三季度资金支付投资额为16.9亿美元，公司2016财年第三季度完成现金和墟市投资56.5亿美元。

　　美光首席践诺官马克•邓肯(Mark Durcan)显露：“固然咱们踊跃安插前辈的DRAM和NAND技巧，并博得了优异的发达，但咱们仍面对墟市处境的离间。”美光所面对的墟市离间重要是PC墟市不断低迷，导致PC DRAM芯片需求降落，而正在需求拉长的Mobile DRAM和NAND Flash产物上也正面对着三星、SK海力士等敌手的激烈角逐。

　　美光固然平昔增强投资，晋升高利润率的20nm DRAM芯片的产量，但20nm LPDDR4进入手机墟市比估计延后。正在NAND Flash方面，各原厂都正在踊跃向3D技巧切换，以目前的情形，三星正正在推广48层 3D NAND量产，东芝/SanDisk也正在升高48层产出，SK海力士36层为主，美光为32层，明明有些落伍，为了正在技巧上赶超角逐敌手，策划第二代3D NAND略过48层，直接跳到64层，而16nm 2D技巧之后也将切换临盆3D NAND。

　　为清晰决目前面对的墟市处境磨练，美光显露，咱们平昔正在增强咱们的角逐身分，同时咱们也正在实行众项门径，个中囊括环球性的裁人，裁人7.5%，即2400人，估计2017年财务公司将节约抢先3亿美元，以到达低落本钱，升高结果的目标，并且还将加大对主要墟市的政策重心。

　　另据外媒报道，美光（Micron）正整备于来岁为墟市带来GDDR6显存，报道称GDDR6将比主流的GDDR5速上一倍，速率正在10-14GB/s驾驭。暂时主流的4GB GDDR5显存民众正在7Gb/s（8GB芯片则正在8Gb/s）驾驭。GDDR6显存的样式仍与GDDR5好像，因而能够减轻打算和修制流程中的本钱和丰富性。但是须要指出的是，正在仿佛尺寸的情形下，高带宽内存（HBM）早就告竣了较GDDR5翻倍的功能。别的，GDDR6不但无法做到HBM那样高效、也无法带来一样级此外延迟。HBM 2.0也将正在2016年的某个时间到来，届时它又不妨借着更强功能和更高结果来不停碾压GDDR6了。